同步开关电源NMOS管参数的选择说明
同步开关电源NMOS管参数的选择说明
1. 选择NMOS管能承受的最大耐压值，比如我们输入范围是8-36V，我们选一个VDS>40V管子就行。
2. 选择耐流，一般管子的电流选择大于工作电流最大值的2倍即可。
3. 再看RDS，RDS主要影响效率，越小越好，但是RDS越小，结电容会越大，结电容越大也会影响开关时间和效率。
4. 再看驱动芯片的Vgs是否在稳态时大于Vth，一般NMOS驱动芯片会电容自举电路，所以需要查找驱动芯片规格书，目前我们选择的是Vth是2.5V,我们驱动芯片Vgs是5V。
5. 再看动态参数，Ciss,Coss,Crss影响开关时间和效率，Crss越小米勒平台越窄，导通越快，（Ciss-Crss）*Vg*Fs*2 是开关损耗。
Ciss=Cgs+Cgd、 Crss=Cgd、 Coss=Cgd+Cds
6. 再看开关参数
td（on）（turn on delay time）：是Vgs从0到达Vgs（th）所用的时间。这段时间是给输入电容Cgs+Cgd充电，使Vgs到达Vgs（th）。
tr（rise time）：是Vds从Vdd（D极电压）开始下降到MOS完全导通时的Vds（on）所用的时间（米勒台阶时间）。此阶段中，Vds下降时的Vgs和Id保持恒定。由于存在大电流和大电压，所以会产生很大的功耗。所以应该通过减小gate端的串联电阻和Cgd来减小上升时间。之后，Vgs继续增加，直到到达外部提供的电压值，但是Vds和Id在这段时间是恒定的，不受影响。
td（off）（turn off delay time）：MOS导通时Vgs为外部提供的电压，当turn off开始时，Vgs开始减小。td（off）就是Vgs减小到使Id达到临近饱和电流的Vgs值时所用的时间。这段期间Vds和Id保持不变。
tf（fall time）：这段时间是在td（off）之后减小到Vgs的阈值电压时所用的时间。此时段，Vds从MOS导通时的电压增加到外部提供的电压，Id从负载电流减小到0。与turn-on状态时存在功耗一样，在turn-off状态时也存在功耗。所以，下降时间也要尽可能的减小。
那么现在mos管导通时间为TON = td（on）+ tr = 8ns,TOFF = td（off）+ tf = 22.7ns,所以我们控制器的死区控制时间要大于这两个值，不然会有上管和下管同时导通的情况。
